Výrobca Číslo produktu:
EMA3T2R
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
EMA3T2R-DG
Popis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Inventár:
13523929
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
EMA3T2R Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
4.7kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
-
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
250MHz
Výkon - Max
150mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Balík zariadení dodávateľa
EMT5
Základné číslo produktu
EMA3T2
Technické údaje a dokumenty
Dokumenty o spoľahlivosti
Zdroje návrhu
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RN2710JE(TE85L,F)
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3611
ČÍSLO DIELU
RN2710JE(TE85L,F)-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.05
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
EMD4T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMG8T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
EMB11FHAT2R
TRANS 2PNP 100MA EMT6
