Výrobca Číslo produktu:
EMB10FHAT2R
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
EMB10FHAT2R-DG
Popis:
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventár:
12966480
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
EMB10FHAT2R Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ tranzistora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
2.2kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
47kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
250MHz
Výkon - Max
150mW
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
EMT6
Základné číslo produktu
EMB10
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
846-EMB10FHAT2RCT
846-EMB10FHAT2RTR
846-EMB10FHAT2RDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RN2905FE,LF(CT
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
RN2905FE,LF(CT-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.02
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
PEMB10,115
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4000
ČÍSLO DIELU
PEMB10,115-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.07
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
UMB11NFHATN
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
EMB3FHAT2R
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
RN2902,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN