Výrobca Číslo produktu:
EMF4T2R
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
EMF4T2R-DG
Popis:
TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 12V 10
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventár:
13003676
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
EMF4T2R Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA, 500mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V, 12V
Rezistor - základňa (R1)
2.2kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
2.2kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA, 100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
250MHz, 260MHz
Výkon - Max
150mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
EMT6
Základné číslo produktu
EMF4
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
846-EMF4T2RTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
EMF18T2R
TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 50V 10
PUMD13/1F
PUMD13 - Small Signal Bipolar Tr
PBLS1504V,115
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
