Výrobca Číslo produktu:
ES6U2T2R
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
ES6U2T2R-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Inventár:
13520754
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
ES6U2T2R Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
110 pF @ 10 V
Funkcia FET
Schottky Diode (Isolated)
Stratový výkon (max.)
700mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-WEMT
Balenie / puzdro
6-SMD, Flat Leads
Základné číslo produktu
ES6U2
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
QS5U34TR
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2970
ČÍSLO DIELU
QS5U34TR-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
ES6U41T2R
MOSFET N-CH 30V 1.5A 6WEMT
2SK2463T100
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
BSM400C12P3G202
SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
