Výrobca Číslo produktu:
GNP1070TC-ZE2
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
GNP1070TC-ZE2-DG
Popis:
ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount DFN8080K
Inventár:
4176 Ks Nové Originálne Na Sklade
13000713
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
GNP1070TC-ZE2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
GaNFET (Gallium Nitride)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 5.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 18mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.2 nC @ 6 V
Vgs (max.)
+6V, -10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
200 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
56W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DFN8080K
Balenie / puzdro
8-PowerDFN
Základné číslo produktu
GNP1070
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,500
Iné mená
846-GNP1070TC-ZE2TR
846-GNP1070TC-ZE2DKR
846-GNP1070TC-ZE2CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
GNP1150TCA-ZE2
ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
DMN2310U-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
DMTH8008LFG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
