Výrobca Číslo produktu:
HP8K24TB
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
HP8K24TB-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 15A/27A 8HSOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
Inventár:
9480 Ks Nové Originálne Na Sklade
13524601
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
HP8K24TB Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10nC @ 10V, 36nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
590pF @ 15V, 2410pF @ 15V
Výkon - Max
3W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Balík zariadení dodávateľa
8-HSOP
Základné číslo produktu
HP8K24
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
HP8K24TBDKR
HP8K24TBCT
HP8K24TBTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
EM5K5T2R
MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5
HS8K11TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
SM6K2T110
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SMT6
