Výrobca Číslo produktu:
HP8KA1TB
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
HP8KA1TB-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 14A 3W Surface Mount 8-HSOP
Inventár:
2500 Ks Nové Originálne Na Sklade
13524044
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
HP8KA1TB Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 10mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2550pF @ 15V
Výkon - Max
3W
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Balík zariadení dodávateľa
8-HSOP
Základné číslo produktu
HP8KA1
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
HP8KA1TBTR
HP8KA1TBDKR
HP8KA1TBCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HP8M31TB1
MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
BSM180D12P3C007
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
QH8KA4TCR
MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
