Výrobca Číslo produktu:
IMH4AT110
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
IMH4AT110-DG
Popis:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Inventár:
12818165
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IMH4AT110 Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
10kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
-
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
250MHz
Výkon - Max
300mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SC-74, SOT-457
Balík zariadení dodávateľa
SMT6
Základné číslo produktu
IMH4
Technické údaje a dokumenty
Dokumenty o spoľahlivosti
Zdroje návrhu
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
IMH4AT110DKR
846-IMH4AT110TR
IMH4AT110CT
IMH4AT110TR
IMH4AT110-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RN1611(TE85L,F)
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
325
ČÍSLO DIELU
RN1611(TE85L,F)-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.05
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
PIMH9,115
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3000
ČÍSLO DIELU
PIMH9,115-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.04
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
EMD30T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
UMD3NFHATR
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
PBLS4004V,115
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
