Výrobca Číslo produktu:
QH8MA3TCR
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
QH8MA3TCR-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 7A, 5.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Inventár:
13526732
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
QH8MA3TCR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A, 5.5A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
29mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7.2nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
300pF @ 15V
Výkon - Max
1.5W
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SMD, Flat Lead
Balík zariadení dodávateľa
TSMT8
Základné číslo produktu
QH8MA3
Technické údaje a dokumenty
Zdroje návrhu
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
QH8MA3TCRTR
QH8MA3TCRDKR
QH8MA3TCRCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PJL9602_R2_00001
VÝROBCA
Panjit International Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2159
ČÍSLO DIELU
PJL9602_R2_00001-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.21
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
QS6J3TR
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
QS6J1TR
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
SP8M3FU6TB
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP