Výrobca Číslo produktu:
QH8MC5TCR
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
QH8MC5TCR-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/3.5A TSMT8
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 3A (Ta), 3.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Inventár:
3069 Ks Nové Originálne Na Sklade
12965347
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
QH8MC5TCR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Ta), 3.5A (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Výkon - Max
1.1W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SMD, Flat Lead
Balík zariadení dodávateľa
TSMT8
Základné číslo produktu
QH8MC5
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
846-QH8MC5TCRCT
846-QH8MC5TCRTR
846-QH8MC5TCRDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
QH8KB5TCR
MOSFET 2N-CH 40V 4.5A TSMT8
SQJ912AEP-T2_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
SH8KB7TB1
MOSFET 2N-CH 40V 13.5A 8SOP