Výrobca Číslo produktu:
QS8M13TCR
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
QS8M13TCR-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 6A, 5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Inventár:
13526183
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
QS8M13TCR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A, 5A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
28mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.5nC @ 5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
390pF @ 10V
Výkon - Max
1.5W
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SMD, Flat Lead
Balík zariadení dodávateľa
TSMT8
Základné číslo produktu
QS8M13
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
QS8M13TCRDKR
QS8M13TCRCT
QS8M13TCRTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
ECH8661-TL-H
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3000
ČÍSLO DIELU
ECH8661-TL-H-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.35
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SP8K3FU6TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
QH8MA2TCR
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
QH8JA1TCR
MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8