Výrobca Číslo produktu:
QS8M31TR
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
QS8M31TR-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Inventár:
3630 Ks Nové Originálne Na Sklade
13526109
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
QS8M31TR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Ta), 2A (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Výkon - Max
1.1W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SMD, Flat Lead
Balík zariadení dodávateľa
TSMT8
Základné číslo produktu
QS8M31
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
QS8M31DKR
QS8M31CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
