Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
DR Kongo
Argentína
Turecko
Rumunsko
Litva
Nórsko
Rakúsko
Angola
Slovensko
ltaly
Fínsko
Bielorusko
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Čierna Hora
Ruština
Belgicko
Švédsko
Srbsko
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Moldavsko
Nemecko
Holandsko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
Francúzsko
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Portugalsko
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Španielsko
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
QS8M31TR
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
QS8M31TR-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Inventár:
3630 Ks Nové Originálne Na Sklade
13526109
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
QS8M31TR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Ta), 2A (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Výkon - Max
1.1W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SMD, Flat Lead
Balík zariadení dodávateľa
TSMT8
Základné číslo produktu
QS8M31
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
QS8M31TR
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
QS8M31DKR
QS8M31CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
QH8K26TR
MOSFET 2N-CH 40V 7A TSMT8
SH8J65TB1
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
QS8J4TR
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
QH8M22TCR
MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8