Výrobca Číslo produktu:
R6004JND3TL1
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
R6004JND3TL1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventár:
2500 Ks Nové Originálne Na Sklade
13525129
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
R6004JND3TL1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
15V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.43Ohm @ 2A, 15V
Vgs(th) (Max.) @ Id
7V @ 450µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10.5 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
260 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
60W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
R6004
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
R6004JND3TL1DKR
R6004JND3TL1CT
R6004JND3TL1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RD3L080SNFRATL
MOSFET N-CH 60V 8A TO252
RSD200N10TL
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
RSS110N03TB
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP