Výrobca Číslo produktu:
R6006JNJGTL
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
R6006JNJGTL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventár:
1098 Ks Nové Originálne Na Sklade
13527337
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
R6006JNJGTL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
15V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
936mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Max.) @ Id
7V @ 800µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15.5 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
410 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
86W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LPTS
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
R6006
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
R6006JNJGTLTR
R6006JNJGTLCT
R6006JNJGTLDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
R6020JNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
QS5U23TR
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
RZR025P01TL
MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
