Výrobca Číslo produktu:
R6008FNX
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
R6008FNX-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventár:
12902380
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
R6008FNX Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
950mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
580 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
50W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220FM
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
R6008
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dokumenty o spoľahlivosti
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
846-R6008FNX
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
ZXMN6A25K
MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
ZXMN4A06GTA
MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
ZXMN10B08E6TA
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26