Výrobca Číslo produktu:
R6009JNJGTL
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
R6009JNJGTL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventár:
1000 Ks Nové Originálne Na Sklade
13526555
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
R6009JNJGTL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
15V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
585mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs(th) (Max.) @ Id
7V @ 1.38mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
22 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
645 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LPTS
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
R6009
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
R6009JNJGTLCT
R6009JNJGTLDKR
R6009JNJGTLTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RQ3E180GNTB
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
RD3G500GNTL
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
RXH125N03TB1
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP
