Výrobca Číslo produktu:
R6009KNX
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
R6009KNX-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventár:
13526049
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
R6009KNX Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
540 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
48W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220FM
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
R6009
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
R6009KNXCT
R6009KNXDKR
R6009KNXCT-ND
R6009KNXCTINACTIVE
R6009KNXDKR-ND
R6009KNXDKRINACTIVE
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK560A65Y,S4X
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5
ČÍSLO DIELU
TK560A65Y,S4X-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.60
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPAW60R600P7SXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1
ČÍSLO DIELU
IPAW60R600P7SXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.94
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
R5207ANDTL
MOSFET N-CH 525V 7A CPT3
RQ3P300BETB1
MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
QS6U22TR
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
