Výrobca Číslo produktu:
R6015ENJTL
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
R6015ENJTL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventár:
4 Ks Nové Originálne Na Sklade
13527387
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
R6015ENJTL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
290mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
910 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
40W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LPTS
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
R6015
Technické údaje a dokumenty
Zdroje návrhu
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
R6015ENJTLTR
R6015ENJTLCT
R6015ENJTLDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK14G65W,RQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3525
ČÍSLO DIELU
TK14G65W,RQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.93
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STB25N80K5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
630
ČÍSLO DIELU
STB25N80K5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.75
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RQ5E025SNTL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
RD3S100CNTL1
MOSFET N-CH 190V 10A TO252
RSR020P05FRATL
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
