Výrobca Číslo produktu:
R6020JNXC7G
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
R6020JNXC7G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 76W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventár:
1930 Ks Nové Originálne Na Sklade
13526681
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
R6020JNXC7G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
15V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
234mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (Max.) @ Id
7V @ 3.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1500 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
76W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220FM
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
R6020
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SCT2750NYTB
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
SCT3030ALGC11
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
RDX080N50FU6
MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
