Výrobca Číslo produktu:
R6020JNZC8
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
R6020JNZC8-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 76W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventár:
30 Ks Nové Originálne Na Sklade
13526744
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
R6020JNZC8 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
15V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
234mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (Max.) @ Id
7V @ 3.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1500 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
76W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3PF
Balenie / puzdro
TO-3P-3 Full Pack
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
360
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
R6020JNZC17
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
299
ČÍSLO DIELU
R6020JNZC17-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.10
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
R5009ANJTL
MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
RSS100N03TB
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
SCT2H12NZGC11
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
