Výrobca Číslo produktu:
R6035ENZ1C9
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
R6035ENZ1C9-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Inventár:
13525551
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
R6035ENZ1C9 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
102mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2720 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
120W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247
Balenie / puzdro
TO-247-3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
450
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK25N60X,S1F
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
TK25N60X,S1F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.01
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFB82N60Q3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
21
ČÍSLO DIELU
IXFB82N60Q3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
30.74
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFX64N60P3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1060
ČÍSLO DIELU
IXFX64N60P3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
8.28
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPW65R125C7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
80
ČÍSLO DIELU
IPW65R125C7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.31
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFK64N60Q3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
25
ČÍSLO DIELU
IXFK64N60Q3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
26.73
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RTU002P02T106
MOSFET P-CH 20V 250MA UMT3
RSJ300N10TL
MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
RHU002N06T106
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
