Výrobca Číslo produktu:
R6046FNZC8
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
R6046FNZC8-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 46A TO3PF
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 46A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventár:
13526512
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
R6046FNZC8 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
46A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
93mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6100 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
130W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3PF
Balenie / puzdro
TO-3P-3 Full Pack
Základné číslo produktu
R6046
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dokumenty o spoľahlivosti
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
360
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
R6050JNZ4C13
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
545
ČÍSLO DIELU
R6050JNZ4C13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
11.16
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPP60R060P7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IPP60R060P7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.85
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
R6050JNZC17
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
257
ČÍSLO DIELU
R6050JNZC17-DG
CENA ZA JEDNOTKU
6.41
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RCJ300N20TL
MOSFET N-CH 200V 30A LPTS
RSR020P05TL
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
US5U35TR
MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
