Výrobca Číslo produktu:
R6509ENJTL
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
R6509ENJTL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventár:
88 Ks Nové Originálne Na Sklade
12851419
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
R6509ENJTL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
585mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 230µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
430 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
94W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LPTS
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
R6509
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
846-R6509ENJTLDKR
846-R6509ENJTLTR
846-R6509ENJTLCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTA8N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
90
ČÍSLO DIELU
IXTA8N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.41
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
R6507KNJTL
MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
R6011KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
FDMS3006SDC
MOSFET N-CH 30V 34A DUAL COOL56
