Výrobca Číslo produktu:
R6535ENZ4C13
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
R6535ENZ4C13-DG
Popis:
650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247G
Inventár:
571 Ks Nové Originálne Na Sklade
12996280
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
R6535ENZ4C13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
115mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1.21mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
379W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247G
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
R6535
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
846-R6535ENZ4C13
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
MCAC75N06YB-TP
MOSFET N-CH DFN5060
SI3134KEA-TP
N-CHANNEL MOSFET
