R8002ANJFRGTL
Výrobca Číslo produktu:

R8002ANJFRGTL

Product Overview

Výrobca:

Rohm Semiconductor

Číslo dielu:

R8002ANJFRGTL-DG

Popis:

MOSFET N-CH 800V 2A LPTS
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount LPTS

Inventár:

930 Ks Nové Originálne Na Sklade
13526787
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

R8002ANJFRGTL Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
250 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
62W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LPTS
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
R8002

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
R8002ANJFRGTLDKR
R8002ANJFRGTLCT
R8002ANJFRGTLTR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
R8002ANJGTL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
925
ČÍSLO DIELU
R8002ANJGTL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.30
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
rohm-semi

RZQ045P01TR

MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6

rohm-semi

R6012FNX

MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM

rohm-semi

RSD220N06TL

MOSFET N-CH 60V 22A CPT3

rohm-semi

QS5U21TR

MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5