Výrobca Číslo produktu:
R8005ANJFRGTL
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
R8005ANJFRGTL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 5A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventár:
1870 Ks Nové Originálne Na Sklade
13524287
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
R8005ANJFRGTL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
500 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
120W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LPTS
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
R8005
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
R8005ANJFRGTLDKR
R8005ANJFRGTLCT
R8005ANJFRGTLTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RQ6E030ATTCR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
RD3L140SPFRATL
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
ZDX080N50
MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
