R8009KNXC7G
Výrobca Číslo produktu:

R8009KNXC7G

Product Overview

Výrobca:

Rohm Semiconductor

Číslo dielu:

R8009KNXC7G-DG

Popis:

HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 9A (Ta) 59W (Tc) Through Hole TO-220FM

Inventár:

1871 Ks Nové Originálne Na Sklade
12996459
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

R8009KNXC7G Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
900 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
59W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220FM
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
R8009

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
846-R8009KNXC7GDKR
846-R8009KNXC7GTR
846-R8009KNXC7GDKRINACTIVE
846-R8009KNXC7GCT
846-R8009KNXC7GDKR-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPL65R1K5C6SE8211ATMA1

IPL65R1K5 - 650V AND 700V COOLMO

fairchild-semiconductor

SCH1331-TL-W

POWER MOSFET

sanyo

ECH8607-TL-E

N-CHANNEL SILICON MOSFET

micro-commercial-components

MCAC50P03A-TP

MOSFET P-CH DFN5060