Výrobca Číslo produktu:
RCJ100N25TL
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RCJ100N25TL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 10A LPT
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 10A (Tc) 1.56W (Ta), 85W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventár:
1838 Ks Nové Originálne Na Sklade
13080733
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RCJ100N25TL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
320mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
26.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1440 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.56W (Ta), 85W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LPTS
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
RCJ100
Technické údaje a dokumenty
Zdroje návrhu
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
RCJ100N25TLTR
846-RCJ100N25TLCT
846-RCJ100N25TLTR
RCJ100N25TLCT
846-RCJ100N25TLDKR
RCJ100N25TLDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFS614B
N-CHANNEL POWER MOSFET
PJD11N06A-AU_L2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
R6006PND3FRATL
600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
