Výrobca Číslo produktu:
RD3L01BATTL1
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RD3L01BATTL1-DG
Popis:
PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 10A (Ta) 26W (Ta) Surface Mount TO-252
Inventár:
4416 Ks Nové Originálne Na Sklade
12948893
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RD3L01BATTL1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
84mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1200 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
26W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
RD3L01
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
846-RD3L01BATTL1CT
846-RD3L01BATTL1DKR
846-RD3L01BATTL1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RD3L03BATTL1
PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
RQ7G080ATTCR
PCH -40V -8A SMALL SIGNAL POWER
RD3G01BATTL1
PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
