Výrobca Číslo produktu:
RD3U060CNTL1
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RD3U060CNTL1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 6A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 6A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventár:
3773 Ks Nové Originálne Na Sklade
13526440
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RD3U060CNTL1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
530mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
840 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
52W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
RD3U060
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
RD3U060CNTL1TR
RD3U060CNTL1DKR
RD3U060CNTL1CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RQ3E130BNTB
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
QS5U17TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
RDN100N20FU6
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
