Výrobca Číslo produktu:
RDD023N50TL
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RDD023N50TL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 2A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Inventár:
13526650
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RDD023N50TL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
151 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
20W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
CPT3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
RDD023
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
RDD023N50TLTR
RDD023N50TLCT
RDD023N50TLDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTY08N50D2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4655
ČÍSLO DIELU
IXTY08N50D2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.15
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
R6002END3TL1
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2329
ČÍSLO DIELU
R6002END3TL1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.37
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFR420TRPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5495
ČÍSLO DIELU
IRFR420TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.44
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RSQ015P10TR
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
RSQ045N03TR
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
RQ5E040AJTCL
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
