Výrobca Číslo produktu:
RGTH60TS65GC11
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RGTH60TS65GC11-DG
Popis:
IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N
Podrobný popis:
IGBT Trench Field Stop 650 V 58 A 197 W Through Hole TO-247N
Inventár:
11 Ks Nové Originálne Na Sklade
13525966
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RGTH60TS65GC11 Technické špecifikácie
Kategória
IGBTs, Jednotlivé IGBT
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ IGBT
Trench Field Stop
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
650 V
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
58 A
Prúd - kolektor pulzný (icm)
120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Výkon - Max
197 W
Spínanie energie
-
Typ vstupu
Standard
Nabíjanie brány
58 nC
Td (zapnuté/vypnuté) @ 25°C
27ns/105ns
Skúšobná podmienka
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Prevádzková teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-247-3
Balík zariadení dodávateľa
TO-247N
Základné číslo produktu
RGTH60
Technické údaje a dokumenty
Dokumenty o spoľahlivosti
Zdroje návrhu
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RGTV60TS65DGC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
RGCL60TS60DGC11
IGBT TRNCH FIELD 600V 48A TO247N
RGW60TK65DGVC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM