Výrobca Číslo produktu:
RGTV60TK65GVC11
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RGTV60TK65GVC11-DG
Popis:
IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Podrobný popis:
IGBT Trench Field Stop 650 V 33 A 76 W Through Hole TO-3PFM
Inventár:
436 Ks Nové Originálne Na Sklade
13526357
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RGTV60TK65GVC11 Technické špecifikácie
Kategória
IGBTs, Jednotlivé IGBT
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ IGBT
Trench Field Stop
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
650 V
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
33 A
Prúd - kolektor pulzný (icm)
120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Výkon - Max
76 W
Spínanie energie
570µJ (on), 500µJ (off)
Typ vstupu
Standard
Nabíjanie brány
64 nC
Td (zapnuté/vypnuté) @ 25°C
33ns/105ns
Skúšobná podmienka
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Prevádzková teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-3PFM, SC-93-3
Balík zariadení dodávateľa
TO-3PFM
Základné číslo produktu
RGTV60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RGTH40TS65GC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
RGCL60TK60GC11
IGBT TRNCH FIELD 600V 30A TO3PFM
RGPR30BM40HRTL
IGBT 430V 30A IGNITION TO252