Výrobca Číslo produktu:
RP1A090ZPTR
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RP1A090ZPTR-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Inventár:
13525826
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RP1A090ZPTR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
59 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
7400 pF @ 6 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
MPT6
Balenie / puzdro
6-SMD, Flat Leads
Základné číslo produktu
RP1A090
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
RP1A090ZPDKR
RP1A090ZPCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RTR030N05TL
MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
RQ6E035SPTR
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
RQ1A060ZPTR
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
