Výrobca Číslo produktu:
RP1L055SNTR
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RP1L055SNTR-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 5.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Inventár:
13526949
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RP1L055SNTR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
49mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
730 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
MPT6
Balenie / puzdro
6-SMD, Flat Leads
Základné číslo produktu
RP1L055
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
RP1L055SNTRCT
RP1L055SNDKR
RP1L055SNCT
RP1L055SNTRCT-ND
RP1L055SNTRDKR-ND
RP1L055SNTRDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
R6030ENX
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
RSQ020N03TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
RQ5E040TNTL
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
