Výrobca Číslo produktu:
RQ1A070ZPTR
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RQ1A070ZPTR-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8
Inventár:
5232 Ks Nové Originálne Na Sklade
13525356
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RQ1A070ZPTR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
58 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
7400 pF @ 6 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
700mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TSMT8
Balenie / puzdro
8-SMD, Flat Lead
Základné číslo produktu
RQ1A070
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RQ1A070ZPTRDKR
RQ1A070ZPTRCT
RQ1A070ZPTRDKR-ND
RQ1A070ZPTRCT-ND
RQ1A070ZPCT
RQ1A070ZPDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RSD175N10TL
MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3
RCX100N25
MOSFET N-CH 250V 10A TO220FM
RQ6C065BCTCR
MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
