Výrobca Číslo produktu:
RRR030P03HZGTL
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RRR030P03HZGTL-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT3
Inventár:
5865 Ks Nové Originálne Na Sklade
12945921
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RRR030P03HZGTL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
75mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
480 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
700mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TSMT3
Balenie / puzdro
SC-96
Základné číslo produktu
RRR030
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
846-RRR030P03HZGTLDKR
846-RRR030P03HZGTLCT
846-RRR030P03HZGTLTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IMBG120R060M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263
IAUC120N06S5L032ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
IMBG120R030M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
