RS1E240GNTB

Výrobca Číslo produktu:

RS1E240GNTB

Product Overview

Výrobca:

Rohm Semiconductor

Číslo dielu:

RS1E240GNTB-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 24A (Ta), 72A (Tc) 3W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventár:

11691 Ks Nové Originálne Na Sklade

13525471

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

RS1E240GNTB Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

ROHM Semiconductor

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

24A (Ta), 72A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

3.3mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 1mA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

23 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1500 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

3W (Ta), 27W (Tc)

Prevádzková teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-HSOP

Balenie / puzdro

8-PowerTDFN

Základné číslo produktu

RS1E

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

RS1E240GNTB HSMT8 TB Taping Spec

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

2,500

Iné mená

RS1E240GNTBDKR

RS1E240GNTBCT

RS1E240GNTBTR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

rohm-semi

RQ6C050UNTR

MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6

rohm-semi

RW1A030APT2CR

MOSFET P-CH 12V 3A 6WEMT

rohm-semi

RHP020N06T100

MOSFET N-CH 60V 2A MPT3

rohm-semi

RQ3E120ATTB

MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT