RS1E280BNTB

Výrobca Číslo produktu:

RS1E280BNTB

Product Overview

Výrobca:

Rohm Semiconductor

Číslo dielu:

RS1E280BNTB-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 28A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventár:

35014 Ks Nové Originálne Na Sklade

13524348

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

RS1E280BNTB Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

ROHM Semiconductor

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

28A (Ta), 80A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

2.3mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 1mA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

94 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

5100 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

3W (Ta), 30W (Tc)

Prevádzková teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-HSOP

Balenie / puzdro

8-PowerTDFN

Základné číslo produktu

RS1E

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

RS1E280BNTB HSMT8 TB Taping Spec

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

2,500

Iné mená

RS1E280BNTBTR

RS1E280BNTBDKR

RS1E280BNTBCT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

rohm-semi

RQ5E035BNTCL

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3

rohm-semi

RP1E090RPTR

MOSFET P-CH 30V 9A MPT6

rohm-semi

RU1C002ZPTCL

MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F

rohm-semi

R5009FNX

MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM