RS1E321GNTB1

Výrobca Číslo produktu:

RS1E321GNTB1

Product Overview

Výrobca:

Rohm Semiconductor

Číslo dielu:

RS1E321GNTB1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 32A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP

Inventár:

4800 Ks Nové Originálne Na Sklade

13524414

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

RS1E321GNTB1 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

ROHM Semiconductor

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

32A (Ta), 80A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

2.1mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 1mA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

42.8 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

2850 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

3W (Ta)

Prevádzková teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-HSOP

Balenie / puzdro

8-PowerTDFN

Základné číslo produktu

RS1E

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

2,500

Iné mená

RS1E321GNTB1CT

RS1E321GNTB1TR

RS1E321GNTB1DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

rohm-semi

RD3H160SPFRATL

MOSFET P-CH 45V 16A TO252

rohm-semi

R6047ENZ1C9

MOSFET N-CH 600V 47A TO247

rohm-semi

RSS125N03FU6TB

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP

rohm-semi

RQ6E050ATTCR

MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6