Výrobca Číslo produktu:
RS1L151ATTB1
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RS1L151ATTB1-DG
Popis:
PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 56A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
Inventár:
10780 Ks Nové Originálne Na Sklade
12967428
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RS1L151ATTB1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
56A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6900 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-HSOP
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
RS1L
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
846-RS1L151ATTB1DKR
846-RS1L151ATTB1CT
846-RS1L151ATTB1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SJ598-AY
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
TK5R1P08QM,RQ
UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
SIJH600E-T1-GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET