Výrobca Číslo produktu:
RS3L045GNGZETB
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RS3L045GNGZETB-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 4.5A 8SOP
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 4.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventár:
1173 Ks Nové Originálne Na Sklade
13526828
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RS3L045GNGZETB Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
59mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.7V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
285 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOP
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
RS3L
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
RS3L045GNGZETBTR
RS3L045GNGZETBCT
RS3L045GNGZETBDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
R8008ANX
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM
R5011ANJTL
MOSFET N-CH 500V 11A LPTS
RSD050N06TL
MOSFET N-CH 60V 5A CPT3
