Výrobca Číslo produktu:
RS3P070ATTB1
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RS3P070ATTB1-DG
Popis:
PCH -100V -7A POWER MOSFET: RS3P
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventár:
2825 Ks Nové Originálne Na Sklade
13371488
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RS3P070ATTB1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
-
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
36mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5150 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOP
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
RS3P070
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
846-RS3P070ATTB1CT
846-RS3P070ATTB1DKR
846-RS3P070ATTB1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RQ3P045ATTB1
PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
IPDQ60R022S7AXTMA1
MOSFET
TQM070NH04CR RLG
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
