RS6L090BGTB1

Výrobca Číslo produktu:

RS6L090BGTB1

Product Overview

Výrobca:

Rohm Semiconductor

Číslo dielu:

RS6L090BGTB1-DG

Popis:

NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET

Podrobný popis:

N-Channel 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventár:

2206 Ks Nové Originálne Na Sklade

12990010

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

RS6L090BGTB1 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

ROHM Semiconductor

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

60 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

90A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

4.7mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 1mA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

28 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1950 pF @ 30 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

3W (Ta), 73W (Tc)

Prevádzková teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-HSOP

Balenie / puzdro

8-PowerTDFN

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

RS6L090BGTB1-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

2,500

Iné mená

846-RS6L090BGTB1CT

846-RS6L090BGTB1DKR

846-RS6L090BGTB1TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

rohm-semi

RS6P060BHTB1

NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

rohm-semi

RD3L03BBGTL1

NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE

diodes

DMTH45M5LPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

diodes

DMTH45M5SPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506