Výrobca Číslo produktu:
RS6L120BGTB1
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RS6L120BGTB1-DG
Popis:
NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventár:
2236 Ks Nové Originálne Na Sklade
13001101
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RS6L120BGTB1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3520 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
104W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-HSOP
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
846-RS6L120BGTB1CT
846-RS6L120BGTB1TR
846-RS6L120BGTB1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
G11S
P-20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX
PMPB07R0UNAX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
PJA3434_R2_00001
MOSFET 20V 750MA SOT-23
