RSQ035P03HZGTR
Výrobca Číslo produktu:

RSQ035P03HZGTR

Product Overview

Výrobca:

Rohm Semiconductor

Číslo dielu:

RSQ035P03HZGTR-DG

Popis:

MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 3.5A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)

Inventár:

3000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12909466
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

RSQ035P03HZGTR Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
65mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
9.2 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
780 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
950mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TSMT6 (SC-95)
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základné číslo produktu
RSQ035

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
846-RSQ035P03HZGDKR
846-RSQ035P03HZGCT
846-RSQ035P03HZGTR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
littelfuse

IXTP80N10T

MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB

littelfuse

IXFP4N100P

MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB

onsemi

5LN01SS-TL-E

MOSFET N-CH 50V 100MA 3SSFP

littelfuse

IXFN30N110P

MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B