Výrobca Číslo produktu:
RT1E050RPTR
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RT1E050RPTR-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventár:
13527020
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RT1E050RPTR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
36mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1300 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.25W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-TSST
Balenie / puzdro
8-SMD, Flat Lead
Základné číslo produktu
RT1E050
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dokumenty o spoľahlivosti
Zdroje návrhu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RT1E050RPTRTR
RT1E050RPTRCT-ND
RT1E050RPTRDKR
RT1E050RPTRTR-ND
RT1E050RPTRDKR-ND
RT1E050RPTRCT
RT1E050RPDKR
RT1E050RPCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RQ6E040XNTCR
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
RQ5P010SNTL
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
RSQ025P03TR
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
