Výrobca Číslo produktu:
RTQ020N05HZGTR
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RTQ020N05HZGTR-DG
Popis:
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
Podrobný popis:
N-Channel 45 V 2A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventár:
996 Ks Nové Originálne Na Sklade
12818184
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RTQ020N05HZGTR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
45 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
2.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
150 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
950mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TSMT6 (SC-95)
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základné číslo produktu
RTQ020
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
846-RTQ020N05HZGCT
846-RTQ020N05HZGDKR
846-RTQ020N05HZGTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RSQ020N03HZGTR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
RTR030N05HZGTL
MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
US6U37TR
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6
