Výrobca Číslo produktu:
RUF025N02FRATL
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RUF025N02FRATL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 2.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Inventár:
6245 Ks Nové Originálne Na Sklade
13526636
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RUF025N02FRATL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.3V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
370 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
800mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TUMT3
Balenie / puzdro
3-SMD, Flat Leads
Základné číslo produktu
RUF025
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RUF025N02FRATLDKR
RUF025N02FRATLTR
RUF025N02FRATLCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
R6003KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 3A TO252
RSS090N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
RQ3E150BNTB
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
