Výrobca Číslo produktu:
RUL035N02FRATR
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
RUL035N02FRATR-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 3.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
Inventár:
256 Ks Nové Originálne Na Sklade
13526174
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RUL035N02FRATR Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
460 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TUMT6
Balenie / puzdro
6-SMD, Flat Leads
Základné číslo produktu
RUL035
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RUL035N02FRADKR
RUL035N02FRACT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
R6018JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM
RF4C050APTR
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
RRL025P03FRATR
MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
